FDD6N20TF
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDD6N20TF |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | UniFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDD6 |
FDD6N20TF Einzelheiten PDF [English] | FDD6N20TF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDD6N20TFonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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